электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Тиристоры - Динисторы, Управляемые Диоды, Симисторы → TISP5110H3BJR-S

TISP5110H3BJR-S

Вы можете купить TISP5110H3BJR-S в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты TISP5110H3BJR-S компании Bourns распространяется гарантия год

Производитель: Bourns

Описание: TISP Thyristor Overvoltage Protectors Forward Conducting Unidirectional

Характеристики:

Product	SCRs
Mounting Style
Package / Case	DO-214AA
Breakover Voltage VBO
On-State Voltage	3 V @ 5 A
Breakover Current IBO Min
Breakover Current IBO Max	60 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	80 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	0.005 mA
Gate Trigger Voltage (Vgt)
Gate Trigger Current (Igt)
Maximum Gate Peak Inverse Voltage
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage	80 V
On-State RMS Current (It RMS)
Holding Current (Ih Max)	600 mA
Off-State Capacitance CO