электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Биполярные Транзисторы → MJD253-1G

MJD253-1G

Вы можете купить MJD253-1G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты MJD253-1G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Transistors Bipolar- General Purpose 4A 100V 12.5W PNP

Характеристики:

Mounting Style	PNP
Package / Case	SO EIAJ
Configuration	Single
Maximum Operating Frequency	40 MHz (Min)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V
Maximum DC Collector Current	4 A
Power Dissipation	1400 mW
DC Current Gain hFE Min	40 @ 200mA @ 1V
Packaging	Bipolar Small Signal & Power