электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Пара Дарлингтона → MJD122T4G

MJD122T4G

Вы можете купить MJD122T4G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты MJD122T4G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Transistors Bipolar - Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	DPAK
Transistor Polarity	NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Peak DC Collector Current	8 A
Maximum Collector Cut-off Current	10 uA
DC Current Gain hFE Min	100 @ 8 A @ 4 V or 1000 @ 4 A @ 4 V