электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Пара Дарлингтона → NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G

Вы можете купить NCV1413BDR2G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NCV1413BDR2G компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Interface- Data Transmission High Voltage High Current Darlington

Характеристики:

Configuration	Array 7
Package / Case	SOIC
Transistor Polarity	NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
Peak DC Collector Current	0.5 A
Maximum Collector Cut-off Current
DC Current Gain hFE Min	1000 @ 350mA @ 2V