электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Модули → STGE200NB60S

STGE200NB60S

Вы можете купить STGE200NB60S в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STGE200NB60S компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 150Amp

Характеристики:

Configuration	Single Dual Emitter
Collector-Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.2 V
Continuous Collector Current Ic Max	200 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 100 nA
Power Dissipation	600 W
Package / Case	ISOTOP