электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

Вы можете купить GT30J121(Q) в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты GT30J121(Q) компании Toshiba распространяется гарантия год

Производитель: Toshiba

Описание: MOSFETs - Power & Small Signal 600V/30A DIS

Характеристики:

Package / Case
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current Ic Max
Gate-Emitter Leakage Current
Power Dissipation
Packaging	Bulk