электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → GT50J301(Q)

GT50J301(Q)

Вы можете купить GT50J301(Q) в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты GT50J301(Q) компании Toshiba распространяется гарантия год

Производитель: Toshiba

Описание: MOSFETs - Power & Small Signal 600V/150A DIS+FRD

Характеристики:

Package / Case	TO-3P
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	50 A
Gate-Emitter Leakage Current
Power Dissipation
Packaging	Bulk