электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → GT60N322(Q)

GT60N322(Q)

Вы можете купить GT60N322(Q) в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты GT60N322(Q) компании Toshiba распространяется гарантия год

Производитель: Toshiba

Описание: MOSFETs - Power & Small Signal IGBT 1000V 57A

Характеристики:

Package / Case	TO-3P(LH)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1000 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage	25 V
Continuous Collector Current Ic Max	57 A
Gate-Emitter Leakage Current
Power Dissipation
Packaging	Bulk