электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

Вы можете купить HGT1S10N120BNST в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты HGT1S10N120BNST компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V

Характеристики:

Package / Case	TO-263AB
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1200 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	35 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Power Dissipation	298 W
Packaging	REEL