электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

Вы можете купить HGT1S20N35G3VLS в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты HGT1S20N35G3VLS компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: IGBTs Coil Dr 20A 350V

Характеристики:

Package / Case	TO-263AB
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	350 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage	10 V
Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Power Dissipation	150 W
Packaging	TUBE