электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Вы можете купить HGT1S20N60A4S9A в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты HGT1S20N60A4S9A компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: IGBTs 600V SMPS SERIES NCH IGBT

Характеристики:

Package / Case	TO-263AB
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	70 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Power Dissipation	290 W
Packaging	REEL