электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → HGT1S3N60A4DS

HGT1S3N60A4DS

Вы можете купить HGT1S3N60A4DS в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты HGT1S3N60A4DS компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: IGBT Transistors TO-263

Характеристики:

Package / Case	TO-263
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	17 A
Gate-Emitter Leakage Current
Power Dissipation
Packaging