электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → HGT1S7N60B3DS9A

HGT1S7N60B3DS9A

Вы можете купить HGT1S7N60B3DS9A в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты HGT1S7N60B3DS9A компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: IGBT Transistors 14A 600V UFS N-Ch

Характеристики:

Package / Case	TO-263AB
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage	+/- 20 V
Continuous Collector Current Ic Max	14 A
Gate-Emitter Leakage Current
Power Dissipation
Packaging	REEL