электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

Вы можете купить HGTG30N60B3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты HGTG30N60B3 компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: IGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series

Характеристики:

Package / Case	TO-247
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Power Dissipation	208 W
Packaging	TUBE