электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL

Вы можете купить HGTP20N35G3VL в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты HGTP20N35G3VL компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: IGBTs Coil Dri 20A 350V

Характеристики:

Package / Case	TO-220AB
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	375 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	350 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Gate-Emitter Leakage Current	590 uA
Power Dissipation	150 W
Packaging	TUBE