электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → NGB8206N

NGB8206N

Вы можете купить NGB8206N в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты NGB8206N компании ON Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBTs 20A 350V Ignition

Характеристики:

Package / Case	SOT-23 (TO-236)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	390 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	350 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	50 V
Maximum Gate Emitter Voltage	15 V
Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Gate-Emitter Leakage Current	150 W
Power Dissipation	150 W
Packaging	TUBE