электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → STGB10NB37LZT4

STGB10NB37LZT4

Вы можете купить STGB10NB37LZT4 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STGB10NB37LZT4 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch Clamped 20 Amp

Характеристики:

Package / Case	D2PAK
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	375 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	18 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage	12 V
Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Gate-Emitter Leakage Current	700 uA
Power Dissipation	125 W
Packaging	REEL