электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4

Вы можете купить STGB10NC60KDT4 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STGB10NC60KDT4 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-channel MOSFET

Характеристики:

Package / Case	D2PAK
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Gate-Emitter Leakage Current
Power Dissipation
Packaging	REEL