электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → STGB14NC60KDT4

STGB14NC60KDT4

Вы можете купить STGB14NC60KDT4 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STGB14NC60KDT4 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor PowerMESH" IGBT

Характеристики:

Package / Case	D2PAK
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	150 V
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	25 A
Gate-Emitter Leakage Current	2 A
Power Dissipation
Packaging	REEL