электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4

Вы можете купить STGD3NB60SDT4 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STGD3NB60SDT4 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 3 Amp

Характеристики:

Package / Case	DPAK
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	6 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 100 nA
Power Dissipation	48 W
Packaging	REEL