STGD6NC60HDT4
Вы можете купить STGD6NC60HDT4 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней.
На электронные компоненты STGD6NC60HDT4 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год
Производитель: STMicroelectronics
Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor PowerMESH" IGBT
Характеристики:
Package / Case
DPAK
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current Ic Max
15 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Power Dissipation
50 W
Packaging
REEL
Datasheet (Техническое описание) STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics
поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su
Цена на STGD6NC60HDT4
Купить STGD6NC60HDT4
(форма запроса)
Фото STGD6NC60HDT4
Изображение может отличаться от оригинала. Сообщить об ошибке .