STGF10NC60KD
Вы можете купить STGF10NC60KD STGF10NC60KD компании STMicroelectronics распространяется гарантия год
Производитель: STMicroelectronicsОписание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor PowerMESH" IGBT
Характеристики:
Package / Case
TO-220FP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current Ic Max
9 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Power Dissipation
25 W
Packaging
TUBE
Datasheet (Техническое описание) STGF10NC60KD STMicroelectronicsпоиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su
Цена на STGF10NC60KD
1 94.16 10 69.18 100 57.23 250 47.18 500 44.22 1,000 38.28 2,000 37.1 5,000 36.93
Цены в рублях с НДС
Минимальная партия:
1 шт.
Доступно:
990 шт.
Если в наличии нет, то отправьте запрос на поиск STGF10NC60KD
Купить STGF10NC60KD
(форма запроса)
Фото STGF10NC60KD Изображение может отличаться от оригинала. Сообщить об ошибке .
