электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → IGBT Транзисторы → STGP3NB60FD

STGP3NB60FD

Вы можете купить STGP3NB60FD в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STGP3NB60FD компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 3.0 A

Характеристики:

Package / Case	TO-220
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Continuous Collector Current Ic Max	6 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Power Dissipation	25 W
Packaging	TUBE