электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые Транзисторы → 2N5114-E3

2N5114-E3

Вы можете купить 2N5114-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты 2N5114-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: P-Channel FETs 30V 10pA

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-206AA
Transistor Polarity	P
Drain Source Voltage VDS
Gate-Source Cutoff Voltage
Gate-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current
Drain Current (Idss at Vgs=0)
Power Dissipation
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)
Packaging	BULK