электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые Транзисторы → J111-E3

J111-E3

Вы можете купить J111-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты J111-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: N-Channel FETs 55V 20mA

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-226AA
Transistor Polarity	N-Channel
Drain Source Voltage VDS
Gate-Source Cutoff Voltage
Gate-Source Breakdown Voltage	- 35 V
Continuous Drain Current
Drain Current (Idss at Vgs=0)
Power Dissipation
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)
Packaging	TUBE