электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → 2N6661-E3

2N6661-E3

Вы можете купить 2N6661-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты 2N6661-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: N-Channel MOSFETs 90V 0.9A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	90 V
Continuous Drain Current	0.9 A
Power Dissipation	6250 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	4 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time