электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → 2SJ412(SM,Q)

2SJ412(SM,Q)

Вы можете купить 2SJ412(SM,Q) в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты 2SJ412(SM,Q) компании Toshiba распространяется гарантия год

Производитель: Toshiba

Описание: MOSFETs - Power & Small Signal P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm

Характеристики:

Configuration
Package / Case
Transistor Polarity
Drain-Source Breakdown Voltage
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)
Typical Turn-Off Delay Time