электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → 2SK2611(F,T)

2SK2611(F,T)

Вы можете купить 2SK2611(F,T) в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты 2SK2611(F,T) компании Toshiba распространяется гарантия год

Производитель: Toshiba

Описание: MOSFETs - Power & Small Signal MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson 1.4 Ohm

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-3P(N)
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Continuous Drain Current	9 A
Power Dissipation	150000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	1.4 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns