электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → BG 3123R E6327

BG 3123R E6327

Вы можете купить BG 3123R E6327 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты BG 3123R E6327 компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: RF MOSFETs Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

Характеристики:

Configuration	Dual
Package / Case	SOT-363
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	8 V
Continuous Drain Current	0.025 A
Power Dissipation	200 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)
Typical Turn-Off Delay Time