электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → BG 3430R E6327

BG 3430R E6327

Вы можете купить BG 3430R E6327 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты BG 3430R E6327 компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: RF MOSFETs RF MOSFET 25mA 200mW

Характеристики:

Configuration
Package / Case	SOT-363
Transistor Polarity	Dual N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Continuous Drain Current	25 mA
Power Dissipation	200 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	33 mS
Resistance Drain-Source RDS (on)
Typical Turn-Off Delay Time