электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → BSZ058N03MS G

BSZ058N03MS G

Вы можете купить BSZ058N03MS G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты BSZ058N03MS G компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: MOSFETs OptiMOS 3 M-SERIES

Характеристики:

Configuration	Single Quad Drain Triple Source
Package / Case	TSSON-8
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	14 A
Power Dissipation	2100 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	70 S / 35 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0058 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	3 ns