электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → BSZ105N04NS G

BSZ105N04NS G

Вы можете купить BSZ105N04NS G в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты BSZ105N04NS G компании Infineon распространяется гарантия год

Производитель: Infineon

Описание: MOSFETs OptiMOS 2 PWR TRANS 40V 40A

Характеристики:

Configuration	Single Quad Drain Triple Source
Package / Case	TSSON-8
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Continuous Drain Current	11 A
Power Dissipation	2100 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0105 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	2.6 ns