электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Вы можете купить DMN32D2LFB4-7 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты DMN32D2LFB4-7 компании Diodes Inc. распространяется гарантия год

Производитель: Diodes Inc.

Описание: MOSFETs - Low Threshold Voltage 350mW 30Vdss

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	DFN1006
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	0.3 A
Power Dissipation	350 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	1.2 Ohm @ 4 V
Typical Turn-Off Delay Time