электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FDB10AN06A0_Q

FDB10AN06A0_Q

Вы можете купить FDB10AN06A0_Q в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FDB10AN06A0_Q компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs N-Channel PowerTrench

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-263AB
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Continuous Drain Current	12 A
Power Dissipation	135000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0105 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	36 ns