электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Вы можете купить FDB16AN08A0 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FDB16AN08A0 компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-263AB
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	75 V
Continuous Drain Current	9 A
Power Dissipation	135000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.013 Ohms @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns