электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FDC6401N_Q

FDC6401N_Q

Вы можете купить FDC6401N_Q в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FDC6401N_Q компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench

Характеристики:

Configuration	Dual
Package / Case	SSOT
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	3 A
Power Dissipation	960 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.07 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	1.6 ns