электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FDD6606_Q

FDD6606_Q

Вы можете купить FDD6606_Q в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FDD6606_Q компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-252AA
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	75 A
Power Dissipation	71000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.006 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	18 ns