электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FDG6335N_Q

FDG6335N_Q

Вы можете купить FDG6335N_Q в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FDG6335N_Q компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs FDG6335N

Характеристики:

Configuration	Dual
Package / Case	SC-70
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	0.7 A
Power Dissipation	300 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	2.8 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.3 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	1.5 ns