электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQA10N80C_F109

FQA10N80C_F109

Вы можете купить FQA10N80C_F109 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQA10N80C_F109 компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 800V N-Ch QFET Advance

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-3P
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Continuous Drain Current	10 A
Power Dissipation	240000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	1.1 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	80 ns