электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Вы можете купить FQA6N90_F109 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQA6N90_F109 компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 900V N-Channel QFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-3P
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Continuous Drain Current	6.4 A
Power Dissipation	198000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	1.9 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	55 ns