электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB10N20CTM

FQB10N20CTM

Вы можете купить FQB10N20CTM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB10N20CTM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs N-CH/200V/10A/QFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Continuous Drain Current	9.5 A
Power Dissipation	72000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	5.5 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.36 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	72 ns