электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB10N60CTM

FQB10N60CTM

Вы можете купить FQB10N60CTM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB10N60CTM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	9.5 A
Power Dissipation	3130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	8 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.73 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	77 ns