электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB13N10LTM

FQB13N10LTM

Вы можете купить FQB13N10LTM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB13N10LTM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Continuous Drain Current	12.8 A
Power Dissipation	3750 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	9.5 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.18 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	72 ns