электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB19N20CTM

FQB19N20CTM

Вы можете купить FQB19N20CTM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB19N20CTM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Continuous Drain Current	19 A
Power Dissipation	3130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	10.8 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.17 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	115 ns