электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB3N30TM

FQB3N30TM

Вы можете купить FQB3N30TM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB3N30TM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 300V N-Channel QFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	300 V
Continuous Drain Current	3.2 A
Power Dissipation	3130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	1.75 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	2.2 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns