электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB6N60TM

FQB6N60TM

Вы можете купить FQB6N60TM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB6N60TM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 600V N-Channel QFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	6.2 A
Power Dissipation	3130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	6 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	1.5 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns