электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB6N80TM

FQB6N80TM

Вы можете купить FQB6N80TM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB6N80TM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 800V N-Channel QFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Continuous Drain Current	5.8 A
Power Dissipation	3130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	5.9 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	1.95 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns