электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB9N25CTM

FQB9N25CTM

Вы можете купить FQB9N25CTM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB9N25CTM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs NCH/250V/9A/QFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	250 V
Continuous Drain Current	8.8 A
Power Dissipation	3130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	7 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.43 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	65 ns