электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQB9N50CTM

FQB9N50CTM

Вы можете купить FQB9N50CTM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQB9N50CTM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Continuous Drain Current	9 A
Power Dissipation	135000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	6.5 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.8 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	64 ns