электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → FQD2N80TF

FQD2N80TF

Вы можете купить FQD2N80TF в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты FQD2N80TF компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs 800V N-Channel QFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	DPAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Continuous Drain Current	1.8 A
Power Dissipation	2500 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	2.4 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	6.3 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	28 ns